در مقاله [12] به طراحی یک تقویت‌کننده کم‌نویز کسکود ولتاژ پایین با خطینگی بالا به کمک روش تزویج مغناطیسی در باند 45GHz پرداختند. در این مقاله، یک LNA کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45GHz با استفاده از تکنولوژی µmRF-0.18CMOS شرکت TSMC ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به‌کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی طبقه اول کاهش داده شده است. شبکه میان‌گذر ورودی و ساختار شانت-پیکینگ خروجی جهت دستیابی به تطبیق پهن‌باند در ورودی و خروجی تقویت‌کننده به کار گرفته شده‌اند. این LNA دو طبقه دارای بهره سیگنال کوچک dB9 و عدد نویز dB4 در فرکانس GHz45 است. مقدار IIP3 تقویت‌کننده کم‌نویز پیشنهادشده dBm +3.8 بوده که در مقایسه با ساختار کسکود با استفاده از روش تزویج پایه dBm +7 بهبود داشته است. این تقویت‌کننده دارای پهنای باند dB3، GHz10 بوده و تلفات بازگشت در سرتاسر پهنای باند بهتر از dB 10 است. تقویت‌کننده کم‌نویز پیشنهادی با ولتار منبع تغذیه 0.6 ولت دارای توان تلفاتیmW 6.8 است.
در مقاله [13] به طراحی تقویت کننده کم نویز بهبود یافته برای کاربردهای باند موج میلی متری با خطسانی بالا پرداختند. در این مقاله، یک روش خطسانی بهبود یافته برای تقویت کننده های کم نویز فرکانس بالا (LNA) ارائه شده است. در ساختار پیشنهادی از اتصال دیودی دو ترانزیستور NMOS-PMOS با یک مقاومت و یک خازن بهره گرفته شده است و این امر منجر به بهبودخطینگی شده است. ساختار ارائه شده متشکل از دو طبقه بوده که طبقه اول به صورت سورس مشترک و طبقه دوم نیز به صورت کسکود طراحی شده است. مدار پیشنهادی در تکنولویی 18/0 میکرون با تغذیه 8/1 ولتی شبیه سازی شده و نتایج نشان داده است که مقدار خطینگی به اندازه dB7 بهبود داشته است. همچنین تقویت کننده کم نویز ارائه شده دارای ماکزیمم توان مصرفی برابر با 9/13 میلی وات است.
در مقاله [14] به طراحی یک میکسر CMOS باند K با توان کم و خطسانی بالا پرداخت. محل قرار گرفتن قطبهای ایجاد شده توسط شبکه‌ی π در کارایی ایده‌ی پیشنهادی بسیار مهم بوده که این موضوع با نرم‌افزار MATLAB شبیه‌سازی شده و محل بهینه‌ی این قطب‌ها معین گردیده است. در نهایت میکسر مورد نظر در تکنولوژی µm CMOS 0/18 و توسط نرم‌افزارهایCadence و ADS Momentum شبیه‌سازی شده است. فرکانس ورودی میکسرGHz 25-18 با توان سیگنال dBm 50- بوده و توان سیگنال طبقه‌ی کلید زنیdBm 1- می‌باشد. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که میکسر پیشنهادی به ترتیب دارای dB 3/36، dB 2 و dB 6 بهبود در بهره، عدد نویز و خطینگی نسبت به حالت متداول با توان مصرفی یکسان است. همچنین توان مصرفی میکسر مورد نظر به همراه مدار بایاس طراحی شده برای آن، برابر mW 9/68 می‌باشد.
6. نتیجهگیری
معماری گیرنده‌های تمام یک‌پارچه امروزی، برای داشتن کم‌ترین مساحت، توان مصرفی و هزینه‌ی تمام‌شده‌ی ساخت، نیازمند مدارهایی بدون القاگرهستند. تقویت‌کننده‌ی کم‌نویز که بخش اصلی این گیرنده‌ها است، در این مقاله مروری بررسی می‌شود. همچنین طراحی میکسر در فرکانس‌های بالا، نظیر باند K، با چالش‌های فراوانی روبرو است زیرا میان پارامترهای آن مصالحه‌ی شدیدی برقرار می‌باشد. هدف از انجام تحقیق کاربردی حاضر مروری بر تقویت‌کننده‌های کم‌نویز با خطینگی زیاد برای باند فرکانسی K بود که روش انجام آن به صورت توصیفی بود. همچنین روش گردآوری اطلاعات به صورت کتابخانهای انجام شد. نتایج مطالعات گذشته و مروی بر آنها نشان داد که؛ در این روش تنها یک سلف بین طبقه‌ی ورودی و کلید زنی قرار گرفته و اندازه‌ی ترانزیستورهای اطراف این سلف طوری تنظیم می‌شود که خازن‌های پارازیتی این ترانزیستورها نقش خازن‌های شبکه‌ی π را بازی کنند. در نتیجه دیگر نیازی به افزودن خازن‌های خارجی نبوده و از اثر مخرب خازن‌های پارازیتی نیز استفاده‌ی مفید و بهینه کرده-ایم. نکته‌ی مهم در ترکیب این دو تکنیک این است که تکنیک PDC با خازن‌های پارازیتی خود کمبود خازن شبکه‌ی π را جبران کرده و در نتیجه این شبکه را بدون نیاز به خازن خارجی، تکمیل می‌گرداند. همچنین در میکسهای پیشنهاد شده بهبود در بهره، عدد نویز و خطینگی نسبت به حالت متداول با توان مصرفی یکسان دارند. همچنین در این تکنیک، توان مصرفی میکسر مورد نظر به همراه مدار بایاس طراحی شده نیز بهبود مییابد.